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MOSFETs

N沟道、P沟道和互补MOSFET

安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),用于电源转换和开关电路。
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6 显示的产品  
Compliance  
Configuration  
V(BR)DSS Min (V)  
VGS Max (V)  
VGS(th) Max (V)  
ID Max (A)  
PD Max (W)  
rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)  
rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)  
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)  
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)  
Qrr Typ (nC)  
Ciss Typ (pF)  
Coss Typ (pF)  
Crss Typ (pF)  
Package Type  
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1 - 6 of 6    [  1 ]  
Select Product Data Sheet Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
  
 
 
 
 
 
 
 
                                         
Select Product Data Sheet Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
  
 
 
 
 
 
 
 
                                         
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6 
P-Channel
Dual
30
20
3
2.3
1.3
   
160
 
7.1
 
3
281
50
28
TSOP-6
  NTGD4161PT1G  
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -30V -2.3A 160 mOhm Dual P-Channel TSOP6 
P-Channel
Dual
30
20
3
2.3
1.3
   
160
 
7.1
 
3
281
50
28
TSOP-6
 
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -20V -4.1A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET 
P-Channel
Dual
20
8
1.5
4.1
2.1
110
80
 
8.6
 
2.6
0.01
750
100
45
ChipFET-8
  NTHD4102PT1G  
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -20V -4.1A 80 mOhm Dual P-Channel ChipFET 
P-Channel
Dual
20
8
1.5
4.1
2.1
110
80
 
8.6
 
2.6
0.01
750
100
45
ChipFET-8
 
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -20V -3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky 
P-Channel
with Schottky Diode
20
12
1.2
3
2.1
240
155
 
6
 
0.9
15
185
95
30
ChipFET-8
  NTHD4P02FT1G  
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -20V -3A 155 mOhm Dual P-Channel ChipFET FETky 
P-Channel
with Schottky Diode
20
12
1.2
3
2.1
240
155
 
6
 
0.9
15
185
95
30
ChipFET-8
 
Pb-free
Halide free
 Active     Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection 
P-Channel
Dual
20
12
1.2
0.88
0.272
500
260
 
2.2
 
0.65
 
155
25
18
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
  NTJD4152PT1G  
Pb-free
Halide free
 Active     Small Signal MOSFET -20V -0.88A 260 mOhm Dual P-Channel SC88 with ESD Protection 
P-Channel
Dual
20
12
1.2
0.88
0.272
500
260
 
2.2
 
0.65
 
155
25
18
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
 
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -20V -3.3A 100 mOhm Dual P-Channel WDFN6 
P-Channel
Dual
20
8
1
4.1
2.3
135
100
 
5.5
 
1.4
5
531
91
56
WDFN-6
  NTLJD3115PT1G  
Pb-free
Halide free
 Active     Power MOSFET -20V -3.3A 100 mOhm Dual P-Channel WDFN6 
P-Channel
Dual
20
8
1
4.1
2.3
135
100
 
5.5
 
1.4
5
531
91
56
WDFN-6
 
Pb-free
Halide free
 Active     Small Signal MOSFET -20V -430mA 900 mOhm Dual P-Channel SOT-563 with ESD Protection 
P-Channel
Dual
20
6
1
0.43
0.28
1200
900
 
1.7
 
0.4
 
105
15
10
SOT-563
  NTZD3152PT1G  
Pb-free
Halide free
 Active     Small Signal MOSFET -20V -430mA 900 mOhm Dual P-Channel SOT-563 with ESD Protection 
P-Channel
Dual
20
6
1
0.43
0.28
1200
900
 
1.7
 
0.4
 
105
15
10
SOT-563
 
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