FDMC7660DC

N 沟道，双 CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET，30V，40A，2.2mΩ

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CAD模型

概览

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool™ 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。

应用

This product is general usage and suitable for many different applications.

特性

Dual CoolÞ 顶侧冷却 PQFN 封装
最大 r_DS(on) = 2.2 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 22 A
）
V_GS = 4.5 V，I_D = 18 A_{时，Max r}DS(on)
= 3.3 mΩ
极低 r_DS(on)
的高性能技术
终端是符合 RoHS 标准的无铅产品

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC7660DC

Active

PQFN-8

483AL

260

REEL

3000

2.2

N-Channel

Single

2.5

3.3

3885

$0.667

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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