N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,100A,3mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

  • AC-DC商用电源
  • AC-DC商用电源-服务器和工作站
  • AC-DC商用电源-台式计算机
  • 其他数据处理
  • RDS(on) = 2.4mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 50A
  • 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 RDS(on) 和高效率
  • 快速开关速度
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状况

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS030N06B

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

Y

60

3

N-Channel

Single

±20

4.5

100

104

-

3

-

75

6585

$1.4605

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