25V PowerTrench® 功率级非对称双 N 沟道 MOSFET

Obsolete

概览

该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET™(Q2) 旨在提供最优功效。

  • 服务器

  • Q1: N沟道
  • 最大值 rDS(on) =8.5 mΩ(VGS=4.5 V, ID =14 A
    时)Q2: N沟道
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

Power 56 (SO-8FL)

Low-Medium Voltage

Logic

0

Dual

0

25

Q1: 5.6, Q2: 1.6

20

Q1:2.7, Q2:3

Q1: 15.0, Q2: 30.0

Q1:2.2, Q2:2.5

-

Q1: 8.5, Q2: 2.4

21

27

4255

-

-

-

-

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