Low/Medium Voltage MOSFETs | FDP5500_F085

N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55V，80A，7mΩ

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N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，55 V，80 A，7 mΩ

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  • 典型 rDS(on) = 5.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A）
  • VGS = 10V时，典型Qg(10) = 114nC
  • 仿真模型</li温度补偿PSPICE和SABERTM模型
  • 峰值电流与脉宽曲线
  • UIS 额定值曲线
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDP5500-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

400

N

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

55

7

±20

4

80

375

-

-

-

114

3565

52

71

1310

395

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