方案
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Small Signal MOSFETs | FDS89161LZ
概览
此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。
- 消费型设备
- DC-DC Conversion
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大值 rDS(on) = 105 mΩ (VGS = 10 V, ID = 2.7 A
) - 最大值 rDS(on) = 160 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A
) - 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
- CDM ESD 保护等级为：典型值>2 KV（注释 4）
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
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FDS89161LZ
Active
Pb
A
H
P
SOIC-8
1
260
REEL
2500
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
SOIC-8
Small Signal
Logic
0
Dual
0
100
Q1:105.0, Q2: 105.0
±20
2.2
2.7
2
-
Q1:160.0, Q2: 160.0
-
2.1
227
0.7
20
44
3
$0.5026
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