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Small Signal MOSFETs | FDZ1323NZ
概览
此器件专门设计为锂电子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装解决方案。它具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向，基于先进的 PowerTrench® 工艺以及“低间距”WLCSP 封装工艺，FDZ1323NZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。这种先进的 WLCSP MOSFET 体现了封装技术的突破，使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rS1S2(on) 等诸多性能结合在一起。
- 手机
- Battery Management
- Load Switch
- Battery Protection
- 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A
时） - 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4 V, IS1S2 = 1 A
时） - 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 A
时） - 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.7 V, IS1S2 = 1 A
时） - 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A
时） - 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A
时） - 只占用 3 mm2的 PCB 面积
- 超薄封装：安装到 PCB 时高度小于 0.35 毫米
- 高功率和高电流处理能力
- HBM 静电放电保护等级 > 3.6 kV（注3）
- 符合RoHS标准
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FDZ1323NZ
Active
Pb
A
H
P
WLCSP-6
1
260
REEL
5000
Y
N-Channel
PowerTrench® T1
WLCSP
Small Signal
Logic
0
Dual Common Drain
0
20
-
12
1.2
10
2
Q1=Q2=18
Q1=Q2=13
-
17
1545
-
-
-
-
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