IGBT,650V,60A,场截止沟槽

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安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为低导通和开关损耗至关重要的焊接机应用提供最佳性能。

  • 最大结温: TJ=175°C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) =1.8 V(典型值) (IC= 60 A)
  • 部件 100% 经过 ILM(1) 检测
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Temp (°C)

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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FGA6560WDF

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Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

N

-

650

60

1.8

1.8

0.52

2.46

271

-

84

-

-

306

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