IGBT/MOSFET Gate Drivers Optocouplers | FOD8332

输入 LED 驱动，2.5 A 输出电流，IGBT 驱动光耦合器带不饱和检测，隔离故障感应和有源米勒箝位

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FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar® 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

  • 自动化
  • 消费型设备
  • 发电和配电
  • 工业级电机
  • 运动控制-工业电机
  • 不间断电源
  • 输入 LED 驱动辅助接受来自 PWM 输出的数字编码信号
  • 光隔离故障检测反馈
  • 高 dv/dt 无负电源电压时，有源米勒箝位关闭 IGBT
  • 以共模抑制为特点的高抗扰性 — 最小 35 Kv/μs，VCM = 1500 VPEAK
  • 2.5 A 输出电流驱动能力，针对中等功率 IGBT
  • 使用 P 沟道 MOSFET 作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨（轨到轨输出）
  • 宽电源电压范围： 15 V 至 30 V
  • 集成 IGBT 保护
  • 去饱和检测
  • IGBT“软”断开
  • 具有滞回的欠压锁定 (UVLO)
  • 在整个工作温度范围内可快速开关
  • 250 ns 最大传播延迟
  • 100 ns 最大脉宽失真度
  • 安全和法规认证
  • 扩展工业温度范围： -40°C 至 100°C
  • DIN-EN/IEC60747-5-5（待定）：
       1,414 VPEAK工作绝缘电压
       8,000 VPEAK额定瞬态隔离电压
  • 1 分钟 UL1577、4,243 V RMS
  • 8 mm 爬电和安全距离

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IDDL, IDDH (Max) (mA)

IOL, IOH (Min) (A)

tPHL, tPLH (Max) (ns)

PWD (Max) (ns)

VUVLO (Typ) (V)

VUVLO- (Typ) (V)

CMR (Min) (kV/µs)

VISO (Min) (V)

TOPR (Min) (°C)

TOPR (Max) (°C)

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FOD8332

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A

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SOIC16 W

751EN

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260

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2.5

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100

11.7

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35

4243

-40

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$2.5875

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FOD8332R2

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FOD8332R2V

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FOD8332V

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