SiC MOSFET下桥驱动器,单个6A高速

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NCP51705驱动器主要设计用于驱动碳化硅MOSFET晶体管,可为碳化硅MOSFET器件提供允许的最大栅极电压,以尽可能降低导通损耗。在开通和关断期间提供高峰值电流也能最大化降低开关损耗。NCP51705利用其板载电荷泵生成用户可选择的负电压轨,从而提升可靠性、抗dV/dt 能力和更快的关断速度。针对隔离应用,NCP51705提供了一个外部可访问的5V电源轨,可为数字/高速光电隔离器的次级侧供电。

  • 高性能逆变器
  • 高功率电机驱动器
  • 图腾柱PFC
  • 工业和电机驱动
  • UPS和光伏逆变器
  • 高功率DC充电器
  • 高峰值输出电流与分流输出级
  • 扩展正电压额定值,最高可达28V
  • 用户可调的内置负电荷泵(-3.3V至-8V)
  • 外部可访问的5V基准/偏置电压轨
  • 可调欠压锁定
  • 快速去饱和功能
  • QFN24 4 x 4 mm 封装

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Package Type

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Power Switch

Number of Outputs

Topology

Isolation Type

Vin Max (V)

VCC Max (V)

Rise Time (ns)

Fall Time (ns)

Drive Source Current Typ (A)

Drive Sink Current Typ (A)

Turn On Prop. Delay Typ (ns)

Turn Off Prop. Delay Typ (ns)

Delay Matching

Reference Price

NCP51705MNTXG

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CAD Model

Pb

A

H

P

WQFN-24

1

260

REEL

3000

Y

SiC MOSFET

1

Single

Non-Isolated

N/A

28

8

8

6

6

25

25

-

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