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NTMFS4983NF: Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 106 A, Single N-Channel
Rev. 3 (83kB)
»查看材料成分
»产品更改通知 (1)
Product Overview
产品说明
NTMFS4983NF
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (2) 数据表 (1)
应用注释 (1) 封装图纸 (2)
仿真模型 (4) 评估板文档 (9)
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
ONS321A5VGEVB Active
Pb-free
5 Vgs MOSFET Evaluation Board
ONS321B12VGEVB Active
Pb-free
12 Vgs MOSFET Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Avnet (2015-07-09) : 2
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMFS4983NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky u8FL / WDFN-8 511AB 1 Tape and Reel 1500 $0.4
NTMFS4983NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $0.4
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Avnet   (2015-07-09) : <1K
Mouser   (2015-07-09) : >1K
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, 30 V, 106 A, Single N-Channel
Rev. 3 (83kB)
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.3   106   38     3.1   2.1   22.6   47.9   6.9   50   3250   1340   90   u8FL / WDFN-8 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 30V 106A 2.1 mOhm Single N-Channel SO-8FL FETky   N-Channel   with Schottky Diode   30   20   2.3   106   38     3.1   2.1   22.6   47.9   6.9   50   3250   1340   90   SO-8FL / DFN-5 
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