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NTMFS4H01NF: Power MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky

Overview
Specifications
Datasheet: Power MOSFET, Single N−Channel, 25 V, 334 A, SO−8FL
Rev. 2 (88kB)
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Product Overview
产品说明
Power MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky
特性   优势
     
  • Integrated Schottky Diode
 
  • Increased efficiency
  • Low RDS(on)
 
  • Minimize conduction losses
  • Low input capacitance
 
  • Minimize switching losses
应用   终端产品
  • High Performance DC-DC Converters
  • Point of Load
 
  • Netcom, Telecom
  • Servers
技术文档及设计资源
设计和开发工具 (1) 封装图纸 (1)
仿真模型 (4) 评估板文档 (5)
数据表 (1)  
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
25VT6A5VGEVB Intro Pending
Pb-free
T6 25V Power MOSFET Evaluation Board
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTMFS4H01NFT1G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky, 25 V, 334 A, Single N?Channel, SO?8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 1500 $2.3
NTMFS4H01NFT3G Active
Pb-free
Halide free
Power MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky, 25 V, 334 A, Single N−Channel, SO−8FL SO-8FL / DFN-5 488AA 1 Tape and Reel 5000 $2.3
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 8 to 12
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory
Datasheet: Power MOSFET, Single N−Channel, 25 V, 334 A, SO−8FL
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Product Overview

Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky, 25 V, 334 A, Single N?Channel, SO?8FL   N-Channel   with Schottky Diode   25   20   2.1   334   125     1   0.7   37.8     8     5538   3416   175.3   SO-8FL / DFN-5 
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power MOSFET 25V 334A 0.7 mOhm Single N−Channel SO−8FL with Schottky, 25 V, 334 A, Single N−Channel, SO−8FL   N-Channel   with Schottky Diode   25   20   2.1   334   125     1   0.7   37.8     8     5538   3416   175.3   SO-8FL / DFN-5 
Datasheet: Power MOSFET, Single N−Channel, 25 V, 334 A, SO−8FL
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488AA   
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NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

  • 低至2.8 mΩ 的超低导通电阻
  • 低门极电荷(95 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装

NDBA100N10B  NDPL100N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 100 A

  • 低至6.9 mΩ 的低导通电阻
  • 低门极电荷(35 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装