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NTP8G202N: Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220

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Specifications
Datasheet: Power GaN Cascode Transistor 600 V, 290 mOhm
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产品说明
Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220
特性
 
  • Fast Switching
  • Extremely Low Qrr
  • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
技术文档及设计资源
设计注释 (1) 封装图纸 (1)
数据表 (1) 评估板文档 (4)
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
NCP1397GANGEVB Active
Pb-free
High Performance Integrated High Voltage Driver Evaluation Board
Avnet (2015-07-09) : 2
Mouser (2015-07-09) : 2
供货情况和样品
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL*
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
数量
NTP8G202NG Active 
Pb-free
Halide free
Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220 TO-220-3 221A-07 1 Tube 150 $10.881
表面贴装器件的潮湿敏感度等级(MSL)(260°C回流温度时测量无铅,235°C回流温度时测量含铅)
市场订货至交货的时间(周) : 13 to 16
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Product Compliance Status Description Channel Polarity Configuration V(BR)DSS Min (V) VGS Max (V) VGS(th) Max (V) ID Max (A) PD Max (W) rDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC) Qrr Typ (nC) Ciss Typ (pF) Coss Typ (pF) Crss Typ (pF) Package Type
 Pb-free 
 Halide free 
 Active     Power GaN Cascode Transistor 600V 290 mΩ Single N-Channel TO-220   N-Channel   Single   600   18   2.35   9   65       350   6.2     2.2   29   785   26   3.5   TO-220-3 
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221A-07   
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NTP8G206N  600 V, 150 mΩ单N沟道氮化镓(GaN)共源共栅(Cascode)功率晶体管

  • 快速开关
  • 极低反向恢复电荷(Qrr)
  • 高能效

NDBA180N10B  NDPL180N10B  N沟道功率 MOSFET, 100 V, 180 A

  • 低至2.8 mΩ 的超低导通电阻
  • 低门极电荷(95 nC)和高开关速度
  • 提供D2PAK 和 TO-220封装