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用于太空和高可靠性应用的坚固 ASIC

安森美半导体提供位于太空和高可靠性应用来说非常重要的设计保证耐辐射 (RHBD) 方案。该设计产品采用公司的 110 nm 数字应用特定集成电路 (ASIC) 工艺,包含了一种全新的触发器体系结构,称为自还原逻辑 (SRL)。SRL 对于高线性能量传输 (LET) 下的单个事件效应能够保持坚固度,最高可在 700 Mhz 下运行,远远超过旧式 RHBD 触发器体系结构的能力。抗锁闭双端口 SRAM,带有板载错误修正码 (ECC)、硬化时钟元件、高速 I/O 单元和单个事件锁闭保护单元。这些单元可兼容现有的数字 ASIC 流程,因此产生了卓越的定价、开发时间跨度和制造周期时间。

ONC110 测试结果

总电离剂量 (Si) 300kRads
SRL Onset LET (700 Mhz) 107 Mev cm2/mg (Si)
SEL Tolerant 测试条件为 125 Mev cm2/mg (Si),150°C,Vdd+10%
加样率失常 测试条件为 1x109 rad(si)/s
加样率闭锁 测试条件为 3x108 rad(si)/s
Neutron SEE 1x1012 n/cm2(1MeV 当量)

用于太空的久经考验的耐辐射方案

安森美半导体具有多种减轻辐射效应的设计方案。硬化 IP 和经过证明的商用 ASIC 开发流程相结合,可实现满足各种应用设计和应用需求的结果。公司的 ASIC 历史已经有五十年时间,包含了几千个基于规格设计、客户交互和 FPGA 转换成功案例。由于增加了 110nm RHBD 能力,安森美半导体扩展了我们的 ASIC 传统,满足了现有客户和新客户的需求。

特性

四芯灵活性

超低功耗

可编程灵活性

无线控制

超高音频保真

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