General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | BUH100

NPN 双极功率晶体管

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此 NPN 双极功率晶体管专用于在启动情况或负载短路情况下保持较大的涌入电流。

  • Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements: High and Flat DC Current Gain hFE Fast Switching
  • Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture this Device
  • Motorola "6 SIGMA" Philosophy Provides Tight and Reproducible Parametric Distributions
  • Pb-Free Package is Available

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IC Cont. (A)

VCEO Min (V)

VCBO (V)

VEBO (V)

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VBE(on) (V)

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hFE Max

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