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General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJP2145
概览
FJP2145是一个低成本、高性能的功率开关，当它在以下应用的ESBC™配置中使用时可提供最佳的性能： 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达1100V的电压和5amps的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。 ESBC™ 开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC MOSFET 是低电压、低成本、表面贴装器件，同时具备低输入电容和快速开关特性。 由于没有米勒电容，ESBC™ 配置可进一步最小化所需驱动电源。 FJP2145因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪崩额定值，并且没有寄生晶体管，因此它不易于发生静态dv/dt故障。 该功率开关采用专用的高压双极工艺制造，并密封于高压TO-220封装中。
- 低等效导通电阻
- 非常快速开关： 150 kHz
- 宽 RBSOA： 高达1100V
- 雪崩额定值
- 低驱动电容，无米勒电容
- 低开关损耗
- 可靠的高压开关： 因其具有高 dv/dt 瞬变能力，可实现无误触发。
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