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General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | FJP2160D
概览
FJP2160D 是一款低成本、高性能电源开关，在电源、电机驱动器、智能电网或点火开关等应用的 ESBC 配置中使用时，可提供最佳性能。该电源开关可在高达 1600 V 和 3 A 下运行，同时提供卓越的低导通电阻和极低开关损耗。ESBC 开关适合由现成电源控制器或驱动器驱动。ESBC MOSFET 是一款低电压、低成本、表面贴装器件，组合了低输入电容和快速开关。ESBC 配置进一步最大程度减小了所需驱动功率，因为它没有米勒电容。FJP2160D 具有方形逆向偏置安全运行区域 (RBSOA) 和坚固设计，因此提供了卓越可靠性和较大运行范围。该器件为雪崩额定，没有寄生晶体管，因此不容易出现静态 dv/dt 故障。
- 等效的低导通电阻
- 超快开关： 150KHz
- 平方RBSOA： 最高1600V
- 雪崩额定值
- 低驱动电容、无米勒电容（典型值12pF Cap @ 200 V）
- 低开关损失
- 可靠的HV开关： 因其具有高dv/dt瞬变能力，因此无误触发。
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