General Purpose and Low VCE(sat) Transistors | NSS60100DMT
概览
安森美半导体的 e2PowerEdge 系列低 VCE(sat) 双极晶体管具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力，采用小外形 2x2 mm 塑料无引线封装。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。 在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许 e2PowerEdge 器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。
- High Side Switching
- Overvoltage Protection
- Automotive LED Lighting
- Automotive Airbag Deployment
- Automotive Instrument Clusters
- Continuous Collector Current(IC) = -1 A
Peak Collector Current (ICM) = -2 A - Low VCE(sat): -200 mV @ IC = -1 A, IB = -100 mA (Beta: IC/IB = 10)
- hFE of 140 @ IC = -1 A, VCE = -2 V
- NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- NSV60100DMTWTBG - Wettable Flanks Packaged Device
- These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
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