IGBT

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这些产品平衡 VCE(sat)和 Eoff损耗以及可控的关断 Vce过冲,提供最佳性能。 它们还以正温度系数、低饱和电压 (VCE(sat))、极低的开关和导通损耗以及快速开关提供极高的可靠性和性能。 它们非常适合高性能电源转换应用,甚至经过设计和认证,适用于汽车和工业应用。

产品系列

电动车主驱逆变器IGBT

第三代场截止IGBT用于电动车主驱逆变器应用

汽车IGBT

用于汽车应用的产品

非汽车级IGBT

用于非汽车应用的产品

VE-Trac芯片,裸芯

用于汽车应用的裸芯

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带SiC共封装二极管的IGBT

Offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations.

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适用于电动车主驱逆变器应用的IGBT - 650 V 120 A FS3

Offers very low conduction and switching losses for a high efficiency operation.

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应用注释

阅读IGBT数据表

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Reliability and Quality for IGBTs Application Note Thumbnail

应用注释

IGBT可靠性和质量

在当今的半导体市场中,公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。 两者是相互关联的——可靠性是在产品的预期寿命内延长的质量。 任何制造商要想继续经营,他们的产品必须达到和/或超过基本的质量和可靠性标准。

Gate-Emitter Voltage Application Note Thumbnail

应用注释

门极-发射极电压对导通损耗和短路能力的影响

本应用注释描述了栅极-发射极电压对 IGBT 器件性能的一些影响。 与 MOSFET 和 BJT 不同,IGBT 的栅极-发射极电源电压的大小对器件的性能有更显著的影响。 栅极-发射极电压的大小会影响器件的导通损耗和抗短路能力。

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电机控制IGBT和续流二极管

在电机控制环境中使用 IGBT 需要几个属性,可以分为两类。 短路额定值和 安全工作区 (SOA) 是器件鲁棒性的指标。 导通和开关能量损耗是衡量器件能效的指标。 本应用注释将研究 IGBT 和续流二极管,并展示损耗和耐用性问题如何影响电机驱动应用的 IGBT 选择。

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