IGBTs | AFGB30T65SQDN

IGBT 650V FS4 高速版，适用于 OBC 应用，D2PAK 封装

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采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术且通过了 AEC-Q101 认证。AFGB30T65SQDN 具有最佳性能以及低导通损耗和开关损耗，可在各种应用中实现高效运行。

  • Automotive On Board Charger
  • Automotive DC/DCC converter for HEV

  • EV/PHEV

  • AEC-Q101 Qualified
  • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 30 A
  • Low VF soft recovery co-packaged diode

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

AFGB30T65SQDN

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

260

REEL

800

Y

-

650

30

1.6

1.5

0.16

0.786

131

-

56

-

-

220

Yes

$2.2571

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