IGBTs | FGA50S110P

IGBT，1100V，50A，短路阳极

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安森美半导体的短路阳极沟槽 IGBT 采用先进的场截止沟槽和短路阳极技术，可为开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件适用于电磁炉和微波炉。

  • 内置反并联二极管，用于软开关应用
  • 大开关频率范围：10 kHz 至 50 kHz
  • 高温稳定性能（Tjmax = 175℃）
  • 低饱和压降：VCE(sat) = 2.06 V，需 IC = 50 A
  • 鲁棒性锅炉检测噪声抗扰度
  • 符合 RoHS 标准（无铅引脚电镀）

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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FGA50S110P

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

340BZ

NA

0

TUBE

450

No

-

1100

30

2.06

1.96

0.99

2.24

-

-

195

-

-

300

Yes

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Device: FGA50S110P

Equivalent to wafer fab process: IGBT

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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