IGBTs | FGA90N33ATD

330V，PDP 沟槽 IGBT

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安森美半导体的新型沟槽 IGBT 系列采用新型沟槽 IGBT 技术，为低导通和开关损耗至关重要的 PDP 应用提供最佳性能。

  • PDP电视
  • 高电流能力
  • 低饱和电压： VCE(sat) =1.1V @ IC = 20A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGA90N33ATDTU

联系销售

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

340BZ

NA

0

TUBE

450

No

-

330

220

1.6

-

-

-

36

-

-

-

-

-

Yes

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Device: FGA90N33ATDTU

Equivalent to wafer fab process: 2E,3B

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2E,3B

0

195572072

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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