600V,PT IGBT

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安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

  • 运动控制-家用设备
  • 高速开关: Eoff =12uJ/A
  • 低饱和电压: VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A
  • 高输入阻抗

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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FGAF40N60UFDTU

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Pb

A

H

P

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NA

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N

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600

20

2.3

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