IGBTs | FGB3245G2_F085

IGBT，450V，23A，1.3V，320mJ，EcoSPARK® II，N 沟道点火

量产中

数据表

购买

概览

FGB3245G2_F085 和 FGD3245G2 是使用安森美半导体的 EcoSPARK® 2 技术设计的 N 沟道 IGBT，有助于消除外部保护电路。该技术适用于在汽车点火系统的严酷环境中驱动线圈，在更高的运行温度下也能提供出色的 Vsat 和 SCIS 能源能力。逻辑电平门极输入具有 ESD 保护，以及一个集成式门极电阻。集成式齐纳电路会将 IGBT 的集极-射极电压限制在 450 V，可实现需要更高火花电压的系统。

  • Ignition systems
  • Automotive
  • Engine Management
  • SCIS 能量 = 320 mJ（需 TJ = 25°C）
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 低饱和电压
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合RoHS标准

工具和资源

与FGB3245G2_F085相关的产品服务、工具和其他资源

CAD Model

CAD模型

物质成分

产品更改通知

可靠性数据

产品参数及购买信息

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGB3245G2-F085

联系销售

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

418AJ

1

260

REEL

800

Yes

-

450

-

-

-

-

-

2600

-

-

-

-

150

Yes

$1.6109

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

支持服务

联系安森美销售团队获得支持，查询或者对比产品细节。

可靠性数据

Die Related Summary Data

Device: FGB3245G2-F085

Equivalent to wafer fab process: IGN IGBT

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGN IGBT

12

30217118471

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

重新搜寻