IGBTs | FGD3N60UNDF

600 V，3 A，短路额定 IGBT

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飞兆半导体的 NPT IGBT 采用的是先进的 NPT IGBT 技术，为具有低损耗和短路耐用性特征的低功率逆变器驱动应用提供最优性能。

  • 短路承受额定 10us
  • 高电流能力
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGD3N60UNDF

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Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

369AS

1

260

REEL

2500

No

-

600

3

2

1.7

0.3

0.52

21

-

1.6

10

-

60

Yes

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Device: FGD3N60UNDF

Equivalent to wafer fab process: 3B,IL

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IL

1

2469245689

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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