IGBTs | FGH40N60SF_F085

600 V、40 A、2.3 V、TO-247
高速场截止 IGBT

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飞兆半导体的场截止 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术，为车用充电器、逆变器和其他低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

  • 高电流能力
  • 低饱和电压： VCE(sat) = 2.3 V，需 IC = 40 A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准
  • 符合 AEC-Q101 汽车行业标准要求

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGH40N60SFDTU-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

No

-

600

80

-

1.8

0.38

1.23

68

-

121

-

-

290

-

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Device: FGH40N60SFDTU-F085

Equivalent to wafer fab process: 3B,IM

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IM

0

1730649151

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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