600 V、40 A、1.9 V、TO-247
场截止 IGBT

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飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

  • 消费型设备
  • 最大结温 TJ =175 °C
  • 正温度系数,易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压: VCE(sat) =1.9V(典型值) IC = 40A 时
  • 高输入阻抗
  • 快速开关: EOFF =6.5uJ/A
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准

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MSL Temp (°C)

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH40N60SMDF

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Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

N

-

600

40

1.9

1.3

0.25

1.3

57

-

122

-

-

349

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