IGBT,1000 V,40A,场截止沟槽

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安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术,为UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

  • 不间断电源
  • 其他工业
  • 高电流能力
  • 低饱和电压:VCE(sat) = 1.9V(典型值)@ IC = 40A
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合 RoHS 标准

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGH40T100SMD

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

No

-

1000

40

1.9

3.4

1.15

2.35

256

-

265

-

-

333

Yes

Price N/A

More Details

FGH40T100SMD-F155

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1.15

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