IGBTs | FGH4L50T65MQDC50

650V 场截止型第四代中速IGBT，带共封装SiC二极管

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FGH4L75T65MQDC50场截止型第四代IGBT技术和第1.5代碳化硅肖特基二极管，采用4引脚TO-247封装，提供低导通和开关损耗，支持工业类应用的高效运行。

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

FGH4L50T65MQDC50

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Pb

A

H

P

TO-247-4

340CJ

NA

0

TUBE

450

F

-

650

50

1.45

1.46

0.59

0.54

~NA~

~NA~

102

~NA~

~NA~

246

Yes

$5.4759

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