IGBTs | FGH4L50T65MQDC50

650V 场截止型第四代中速IGBT，带共封装SiC二极管

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FGH4L75T65MQDC50场截止型第四代IGBT技术和第1.5代碳化硅肖特基二极管，采用4引脚TO-247封装，提供低导通和开关损耗，支持工业类应用的高效运行。

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGH4L50T65MQDC50

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-4

340CJ

NA

0

TUBE

450

No

-

650

50

1.45

1.46

0.59

0.54

~NA~

~NA~

102

~NA~

~NA~

246

Yes

$5.4759

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Device: FGH4L50T65MQDC50

Equivalent to wafer fab process: IGBT,SIC

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT,SIC

0

61928156

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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