IGBTs | FGP10N60UNDF

IGBT，600V，10A，短路额定

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安森美半导体的 NPT IGBT 使用先进的 NPT IGBT 技术，为低损耗和短路耐用性至关重要的低功耗逆变器驱动应用提供了最佳性能，如缝纫机、数控机床、电机控制和家用电器。

  • 运动控制-家用设备
  • 短路承受额定 10us
  • 高电流能力
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 符合RoHS标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

FGP10N60UNDF

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

No

-

600

10

2

1.8

0.05

0.15

78.9

-

37

-

-

139

Yes

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Device: FGP10N60UNDF

Equivalent to wafer fab process: 3B,IL

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

3B,IL

1

2469245689

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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