IGBTs | HGTG12N60C3D

24A，600V，UFS 串联 N 沟道 IGBT，带防并联 Hyperfast 二极管

已停产

数据表

购买

概览

HGTG12N60C3D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49123。与 IGBT 防并联的二极管是开发型 TA49061。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用。之前开发型号为 TA49117。

  • 其他工业
  • TC= 25°C时，24A、600V
  • 典型的下降时间................TJ=150°C时为210ns
  • 短路额定值
  • 低传导损耗
  • 超快反平行二极管

工具和资源

与HGTG12N60C3D相关的产品服务、工具和其他资源

CAD Model

CAD模型

物质成分

产品更改通知

可靠性数据

产品参数及购买信息

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

HGTG12N60C3D

联系销售

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

No

-

600

12

1.65

-

-

-

30

-

-

-

-

-

Yes

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

支持服务

联系安森美销售团队获得支持，查询或者对比产品细节。

可靠性数据

Die Related Summary Data

Device: HGTG12N60C3D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2F,3B

0

552010123

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

重新搜寻