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IGBTs | HGTG30N60B3D
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HGTG30N60B3D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49170。与 IGBT 防并联使用的二极管是开发型 TA49053。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用，如： 交流和直流电机控制、电磁阀电源和驱动器、继电器和接触器。之前还发型号为 TA49172。
- 其他工业
- 60A, 600V, TC = 25°C
- 600 V 开关 SOA 能力
- 典型下降时间： TJ=150°C 时为 90 ns
- 短路额定值
- 低导通损耗
- 超快反向并联二极管
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HGTG30N60B3D
Pb
A
H
P
TO-247-3
NA
0
TUBE
450
N
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600
30
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45
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Yes
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