IGBT,FSII,650V,50A

已停产

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此绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供出色性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。该 IGBT 非常适合焊接应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管,带有低正向电压。

  • Welding
  • Industrial
  • TJmax = 175°C
  • Soft Fast Reverse Recovery Diode
  • Optimized for High Speed Switching
  • These are Pb−Free Devices

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MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

NGTB50N65S1WG

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

30

No

-

650

50

2.1

2.65

0.53

1.25

70

11

128

-

-

300

Yes

Price N/A

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