IGBTs | NGTB75N65FL2WA

IGBT，650V，场截止 II，75 A

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此款隔离门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的场截止 II 沟槽结构，为要求苛刻的开关应用提供卓越性能，提供低导通状态电压，并最大限度降低开关损耗。另外，此新器件采用 TO−247−4L 封装，与标准 TO−247−3L 封装相比提供了明显的 Eon 损耗降低。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。此器件集成了一个柔性、快速的共封装续流二极管，采用低正向电压。

  • Solar Inverters
  • Uninterruptible Power Supplies (UPS)
  • Neutral Point Clamp Topology

  • Industrial

  • Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
  • TJmax = 175°C
  • Improved Gate Control Lowers Switching Losses
  • Separate Emitter Drive Pin
  • TO-247-4L for Minimal Eon Losses
  • Optimized for High Speed Switching
  • These are Pb-Free Devices

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VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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Pb

A

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TO-247-4

340AR

NA

0

TUBE

30

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650

75

1.7

2.3

1.2

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-

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