IGBTs | SGL50N60RUFD

IGBT，600V，50A，短路额定

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安森美半导体的 RUFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗以及短路耐受性。RUFD 系列适用于电机控制、不中断电源 (UPS) 和通用逆变器等短路耐受性为必需特性的应用。

  • 运动控制-家用设备
  • 50A, 600V, TC = 100°C
  • 低饱和电压：V CE(sat) = 2.2 V @ I C = 50A
  • 典型下降时间。. . . . . . . . TJ = 125°C时为0.261ns
  • 高速开关
  • 高输入阻抗
  • 短路额定值

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MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

SGL50N60RUFDTU

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Pb

A

H

P

TO-264-3

340CA

NA

0

TUBE

375

No

-

600

50

2.2

1.9

1.03

1.68

140

6

145

-

-

250

Yes

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Device: SGL50N60RUFDTU

Equivalent to wafer fab process: IGBT

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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