IGBTs | SGP23N60UFD

600V，PT IGBT

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安森美半导体的 UD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗。UFD 系列适用于电机控制和通用逆变器等高速开关为必需特性的应用。

  • 其他工业
  • 高速开关
  • 低饱和电压： VCE(sat)=2.1 V @ I C=12 A
  • 高输入阻抗
  • CO-PAK、IGBT 及 FRD： rr=42 ns（典型值）

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

SGP23N60UFDTU

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

1000

No

-

600

12

2.1

-

-

-

80

-

-

-

-

-

Yes

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Device: SGP23N60UFDTU

Equivalent to wafer fab process: IGBT

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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