2N7000: N 沟道增强型场效应晶体管 60V,200mA,5 Ω

Datasheet: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Rev. 5 (757kB)
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这些 N 沟道小信号 MOSFET 是使用安森美半导体专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这些产品可最大程度地降低导通电阻,同时具备强固、可靠和快速开关性能。此类产品可用于最高要求 400 mA DC 的大多数应用,可以提供高达 2 A 的脉冲电流。这些产品尤其适合低电压、低电流应用。
特性
 
  • Voltage Controlled Small Signal Switch
  • High Saturation Current Capability
  • Rugged and Reliable
  • High Density Cell Design for Low RDS(ON)
应用
  • Small Servo Motor Control
  • Power MOSFET Gate Drivers
  • Assorted Switching Applications
Availability & Samples
Specifications
外形
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
2N7000 Active
Pb-free
2N7000 TO-92-3 135AN NA Bulk Bag 10000 $0.0955
2N7000-D26Z Active
Pb-free
2N7000 TO-92-3 LF 135AR NA Tape and Reel 2000 $0.0837
2N7000-D74Z Active
Pb-free
2N7000 TO-92-3 LF 135AR NA Fan-Fold 2000 $0.0995
2N7000-D75Z Active
Pb-free
2N7000 TO-92-3 LF 135AR NA Fan-Fold 2000 $0.1068
2N7000G Obsolete
Pb-free
2N7000 TO-92 29-11 NA Bulk Box 1000  
2N7000RLRAG Obsolete
Pb-free
2N7000 TO-92 29-11 NA Tape and Reel 2000  
2N7000RLRMG Obsolete 
Pb-free
2N7000 TO-92 29-11 NA Fan-Fold 2000  
2N7000RLRPG Obsolete 
Pb-free
2N7000 TO-92 29-11 NA Fan-Fold 2000  
2N7000RLRA Obsolete
2N7000 TO-92 29-11 NA Tape and Reel 2000  
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Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
2N7000  
 $0.0955 
Pb
 Active   
N-Channel
Single
60
20
3
0.2
0.35
-
5300
5000
-
-
60
TO-92-3
2N7000-D26Z  
 $0.0837 
Pb
 Active   
N-Channel
Single
60
20
3
0.2
0.35
-
5300
5000
-
-
60
TO-92-3 LF
2N7000-D74Z  
 $0.0995 
Pb
 Active   
N-Channel
Single
60
20
3
0.2
0.35
-
5300
5000
-
-
60
TO-92-3 LF
2N7000-D75Z  
 $0.1068 
Pb
 Active   
N-Channel
Single
60
20
3
0.2
0.35
-
5300
5000
-
-
60
TO-92-3 LF
外形
29-11    135AN    135AR   
封装
2N7000: N 沟道增强型场效应晶体管 60V,200mA,5 Ω
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