N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管100V,170mA,6Ω

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这款N沟道增强型MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产,用于最大限度地减少导通电阻,同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。BSS123尤其适合低电压、低电流的应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其它开关应用。

  • 本产品为通用产品,适合各类不同应用。
  • 小型伺服电机控制
  • 功率MOSFET栅极驱动器
  • 0.17A, 100V
     RDS(ON) = 6Ω @ VGS = 10V
     RDS(ON) = 10Ω @ VGS = 4.5V
  • 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
  • 稳固可靠
  • 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

BSS123

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23 (TO-236)

1

260

REEL

3000

N

100

6000

N-Channel

Single

±20

2

0.17

0.36

-

10000

-

1.8

73

$0.0432

More Details

BSS123-F169

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