功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,2.6 A,2.25 Ω,DPAK

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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

  • AC-DC Power Supply
  • LED Lighting
  • Industrial Power Applications
  • General Switching Power Applications

  • Audio Adapters
  • Laptop Adapters
  • ATX

  • RDS(on) = 1.8 Ω(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 11 nC)
  • 低 Eoss(典型值 1.1 uJ @ 400V)
  • 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 51 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 改进了 ESD 防护能力

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCD2250N80Z

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

DPAK

High Voltage

Standard

0

Single

0

800

2250

DC: ±20, AC: ±30

4.5

2.6

39

-

-

-

11

440

4.3

2200

16

0.75

$0.5957

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