功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,2 A,3.4 Ω,DPAK

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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。

  • Computing
  • Consumer
  • Industrial
  • Notebook / Desktop computer / Game console
  • LCD / LED TV
  • Telecom / Server
  • LED Lighting / Ballast
  • Adapter
  • RDS(on) = 2.75 Ω(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 7.4 nC)
  • 低 Low Eoss (典型值 0.9 uJ @ 400V)
  • 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 41 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 改进了 ESD 防护能力

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCD3400N80Z

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

Y

800

3400

N-Channel

Single

DC: ±20, AC: ±30

4.5

2

32

-

-

-

7.4

299

$0.6787

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