600 V、47 A、36 mΩ、TO-247
N 沟道 SuperFET™

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SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。

  • Automotive On Board Charger
  • Automotive DC/DC converter for HEV
  • 典型值 RDS(on) = 36 mΩ(VGS = 10 V、ID = 38 A)
  • 典型值 Qg(tot) = 267 nC(VGS = 10 V、ID = 38 A)
  • 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 720 nF)
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCH041N60F-F085

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Active, Not Rec

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

Y

600

41

N-Channel

Single

±20

5

76

595

-

-

-

267

10900

$11.5536

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