N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 650V,76A,34mΩ

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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFETII 非常适用于软开关和件开关拓扑结构,如高压全桥和半桥DC-DC、交错式升压 PFC 、HEV-EV 汽车升压 PFC。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能无需附加组件,可提高系统可靠性。

  • Automotive On Board Charger
  • Automotive DC/DC converter for HEV
  • 典型值 RDS(on) = 34 mΩ(VGS = 10 V、ID = 38 A
  • 典型值 Qg(tot) = 234 nC(VGS = 10 V、ID = 38 A
  • UIS 能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合RoHS标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCH041N65F-F085

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Active, Not Rec

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

Y

650

41

N-Channel

Single

±20

5

76

595

-

-

-

234

10200

$11.7309

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