功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,35 A,110 mΩ,TO-247

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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。

  • AC - DC Power Supply

  • LCD / LED / PDP TV
  • Solar Inverter
  • Telecom / Server Power Supplies

  • 700 V @ TJ = 150°C
  • 典型值 RDS(on)=96 mΩ(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 98 nC)
  • 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 308 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCH110N65F-F155

Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

450

Y

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-247

High Voltage

Standard

0

Single

0

650

110

DC: ±20, AC: ±30

5

35

357

-

-

-

98

3680

43

670

110

0.65

$3.6058

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