功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,Easy Drive,600 V,29 A,125 mΩ,TO-220

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概览

SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET easy-drive 系列与 SuperFET II MOSFET 系列相比,提供了略慢的升降时间。此系列通过“E”零件编号后缀表示,有助于管理 EMI 问题,和简化设计实施。对于必须绝对保证开关损耗最小的更快开关应用中,请考虑 SuperFET II MOSFET 系列。

  • Industrial Power Supplies

  • Telecom / Server Power Supplies

  • 650 V @TJ= 150°C
  • 典型值 RDS(on) = 102 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 75 nC)
  • 低有效输出电容(典型值 Coss(eff) = 258 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FCP125N60E

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-220-3

NA

0

TUBE

800

N

N-Channel

PowerTrench® T1

TO-220

High Voltage

Standard

0

Single

0

600

125

DC: ±20, AC: ±30

3.5

29

278

-

-

-

75

2250

33

6500

60

17

$2.3384

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