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High Voltage MOSFETs | FCP850N80Z
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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。另外，内部门极电源 ESD 二极管可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如音频、笔记本电脑适配器、照明、ATX 电源和工业电源应用。
- AC-DC Power Supplies
- LED Lighting
- 典型值 RDS(on) = 710 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值 Qg = 22 nC)
- 低 Low Eoss （典型值 2.3 uJ @ 400V)
- 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 106 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
- 改进了 ESD 防护能力
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FCP850N80Z
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TO-220-3
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TUBE
800
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N-Channel
PowerTrench® T1
TO-220
High Voltage
Standard
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Single
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800
850
DC: ±20, AC: ±30
4.5
8
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990
8.6
4500
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