FCPF400N80Z: 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,14 A,400 mΩ,TO-220F

Datasheet: FCPF400N80Z - N-Channel SuperFET® II MOSFET
Rev. A (662kB)
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SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
特性
 
  • 典型值 RDS(on) = 340 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值 Qg = 43 nC)
  • 低有效输出电容(典型值 Cosseff. = 138 pF)
  • 100%经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
评估/开发工具信息
产品 状况 Compliance 简短说明 行动
LIGHTING-1-GEVK Active
Pb-free
Connected Lighting Platform for LED Control
FutureElectronics (2020-08-19) : 4
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FCPF400N80Z Active
Pb-free
Halide free
FCPF400N80Z TO-220-3 FullPak 221AT NA Tube 1000 $0.9935
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Channel Polarity
Configuration
V(BR)DSS Min (V)
VGS Max (V)
VGS(th) Max (V)
ID Max (A)
PD Max (W)
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)
Package Type
FCPF400N80Z  
 $0.9935 
Pb
H
 Active   
N-Channel
Single
800
DC: ±20, AC: ±30
4.5
11
35.7
-
-
400
-
43
1770
TO-220-3 FullPak
外形
221AT   
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