N 沟道 UniFETTM MOSFET 250V,69A,41mΩ

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UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

  • PDP电视
  • RDS(on) = 41mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 34.5A
  • 低栅极电荷(典型值 77nC)
  • 低Crss(典型值 84pF)

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDA69N25

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

TUBE

450

Y

250

41

N-Channel

Single

±30

5

69

480

-

-

-

77

3570

$2.3999

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