FDB016N04AL7

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，306A，1.6mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

应用

AC-DC商用电源-服务器和工作站
AC-DC商用电源-台式计算机
其他数据处理

特性

R_DS(on)=1.16mΩ （典型值）@ V_GS = 10V, I_D=80A
快速开关速度
低栅极电荷，Q_G=129nC（典型值）
高性能沟道技术可实现极低的 R_DS(on)
高功率和高电流处理能力
符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDB016N04AL7

Last Shipments

D2PAK-7 / TO-263-7

418AY

245

REEL

800

1.6

N-Channel

Single

±20

306

283

129

8715

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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