N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75 V,58 A,16 mΩ

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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,75V,58 A,16 mΩ, 这种最新的屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 具有更小的 QSYNC,卓越的软逆向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的能效。

  • AC-DC商用电源
  • DC-DC商用电源
  • 消费型设备
  • 电动自行车
  • RDS(on) = 13 mΩ(典型值) @ VGS = 10 V, ID = 58 A
  • QG(tot) = 28 nC (Typ.) @ VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低 Qrr体二极管
  • UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDB16AN08A0

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Active

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

Y

80

16

N-Channel

Single

±20

4

58

117

-

-

-

28

1857

$1.26

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