N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,79A,16mΩ

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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,79A,16mΩ,这种最新的屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 具有更小的 QSYNC,卓越的软逆向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的能效。

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  • rDS(ON) = 14 mΩ (典型值)、VGS = 10 V、ID = 33 A
  • Qg(tot) = 82nC(典型值),VGS = 10V
  • 低米勒电荷
  • 低 QRR体二极管
  • UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Vgs (V)

Vgs(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

FDB2532-F085

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

N

N-Channel

PowerTrench® T1

D2PAK

Low-Medium Voltage

Standard

0

Single

0

150

16

±20

4

79

310

-

-

-

82

5870

19

327

615

135

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